Home   |   PRODUCT   |   Thyristor Component   |  

High current rating N-Channel Power MOSFET YZPST-IRF530 

这里可以自定义设置
High current rating N-Channel Power MOSFET YZPST-IRF530 
YZPST-IRF530 
Plastic-Encapsulate MOSFETS,N-Channel Power MOSFET
B站不支持收货地址
B站不支持库存规格
参数暂无数据
多属性暂无数据

Plastic-Encapsulate MOSFETS

YZPST-IRF530 N-Channel Power MOSFET

GENERAL DESCRIPTION  

It uses advanced trench technology and design to provide  excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for  high current load applications.

FEATURE

 High current rating

 Ultra lower RDS(on)

 Good stability and uniformity with high EAS

 Excellent package for good heat dissipation

APPLICATION

Power switching application

Load switching in high circuit application

DC/DC converters


Add success, do you want to check your shopping cart?

暂无分享
Type PDIDVBR(DSS)RDS(on)RDS(on)RDS(on)
(W) (A) (V) 
IDVGS



(Ω) (A) (V) 
IRF530 14 100 0.16 8.5 10 
IRF540 27 100 0.08 16 10 
IRF630 9.3 200 0.40 5.4 10 
IFR640 18 200 0.18 11 10 
IRF730 5.5 400 1.00 3.3 10 
IRF740 10 400 0.55 5.20 10 
IRF830 4.5 500 1.5 2.7 10 
IRF840 500 0.85 4.8 10 
IRFZ44N 49 55 0.02 30 10 
IRFZ48N 58 55 0.017 30 10 
1N60 600 10 0.6 10 
2N60 600 4.4 10 
4N60 600 10 
5N60 600 2.5 2.25 10 
7N60 600 1.3 3.5 10 
8N60 600 1.3 10 
10N60 10 600 10 
12N60 12 600 0.8 10 
50NF06 1.25 50 60 0.02 20 10 
60NF06 1.25 60 60 0.02 30 30 
75NF75 1.8 75 75 0.008 40 10 


Notes :

1. L=4.6mH, IL=9.9A, VDD=50V, RG=25Ω,Starting TJ=25℃.

2. Pulse Test : Pulse width≤300µs, duty cycle ≤2%.

3. Guaranteed by design, not subject to production

4. Surface mounted on FR4 board, t10s 




ONLINE CONSULTATION

 

社媒暂无评论
Chat Online 编辑模式下无法使用
Chat Online inputting...